Messplatz zur Bestimmung des thermischen Widerstands von Power-MOSFET's

Der thermische Widerstand bei Leistungshalbleitern stellt einen entscheidenden Faktor bezüglich umsetzbarer Verlustleistung dar. Das Buch gibt einen Einblick in das thermische Verhalten von Leistungshalbleitern, beschreibt kurz die zwei gebräuchlichen Ersatzschaltbilder (Leitungs- und Reihenersatzschaltbild) für Wärmeleitungsvorgänge, stellt mögliche Varianten vor, um den Transistor zu erwärmen und mit Hilfe von geeigneten, temperaturabhängigen Parametern aus den gemessenen Spannungswerten während der Abkühlphase, auf die Temperatur der wärmeerzeugenden Schicht zu schließen.Zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur wurden zum einen die lineare Temperaturabhängigkeit der Flussspannung der integrierten Inversdiode bei vertikalen MOSFET`s und zum anderen die Temperaturabhängigkeit des Drain-Source-Einschaltwiderstandes RDS(on) ausgenützt. Der weitestgehend programmgesteuerte Messplatz dient zur einfachen und präzisen Ermittlung des Wärmewiderstands. Der Messplatz kann als Basis für weiterführende Betrachtungen und Entwicklungen verwendet werden.

Autorentext
Bernhard, Rainer Rainer Bernhard, Dipl. Ing (FH): Studium der Elektrotechnik mit Schwerpunkt Datentechnik an der FH. München; Qualitätsingenieur bei Infineon Technologies AG, München; Qualitäts- u. Entwicklungsingenieur bei OCÉ Printing Systems GmbH, Poing b. München

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