Untersuchungen zum Planarisierungsverhalten beim CMP

Beim chemisch mechanischen Polieren (CMP) in der Halbleiterindustrie werden unterschiedliche Strukturen auf Wafern planarisiert. Um einen optimalen Polierprozess zu erhalten, müssen die Parameter an der Polieranlage aufeinander abgestimmt sein. In diesem Buch werden an drei verschiedenen Polieranlagen die Anlagenparameter untersucht. Zur Bestimmung der Parameter werden Versuche an unstrukturierten und strukturierten Wafern durchgeführt. Mit den Ergebnissen wird an einer Anlage die Planarisierung eines Produktes optimiert.

Autorentext
Studium der Elektrotechnik mit der Spezialisierungsrichtung Mikroelektronik an der Technischen Universität Dresden.

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